casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SDT10S30
Número da peça de fabricante | SDT10S30 |
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Número da peça futura | FT-SDT10S30 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolSiC™ |
SDT10S30 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 300V |
Capacitância @ Vr, F | 600pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-2-2 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDT10S30 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SDT10S30-FT |
IDD08SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD09E60BUMA1
Infineon Technologies
IDD09SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD10SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD12SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD15E60BUMA2
Infineon Technologies
SDD04S60
Infineon Technologies
SDP06S60
Infineon Technologies
SDP10S30
Infineon Technologies
HFA08TB60PBF
Infineon Technologies
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel