casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / SDR6603-8R2M
Número da peça de fabricante | SDR6603-8R2M |
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Número da peça futura | FT-SDR6603-8R2M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SDR6603 |
SDR6603-8R2M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 8.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.3A |
Atual - saturação | 1.15A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 160 mOhm Max |
Q @ Freq | 10 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 40MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.115" (2.92mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR6603-8R2M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SDR6603-8R2M-FT |
SRN5040-1R5Y
Bourns Inc.
SRN5040-6R8M
Bourns Inc.
SRN5040-8R2M
Bourns Inc.
SRN4026-1R0Y
Bourns Inc.
SRN4026-221M
Bourns Inc.
SRN4026-330M
Bourns Inc.
SRN4026-100M
Bourns Inc.
SRN4026-4R7M
Bourns Inc.
SRN4026-101M
Bourns Inc.
SRN4026-150M
Bourns Inc.
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel