casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / SDE1006A-5R6M
Número da peça de fabricante | SDE1006A-5R6M |
---|---|
Número da peça futura | FT-SDE1006A-5R6M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SDE1006A |
SDE1006A-5R6M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 5.6µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 4.5A |
Atual - saturação | 5A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 40 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 35.6MHz |
Classificações | AEC-Q200 |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.228" (5.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE1006A-5R6M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SDE1006A-5R6M-FT |
SRN2010TA-R68Y
Bourns Inc.
SRN2009T-2R2M
Bourns Inc.
SRN2009T-100M
Bourns Inc.
SRN2009T-1R0M
Bourns Inc.
SRN2009T-1R5M
Bourns Inc.
SRN2009T-3R3M
Bourns Inc.
SRN2009T-4R7M
Bourns Inc.
SRN2009T-6R8M
Bourns Inc.
SRN2009T-R33M
Bourns Inc.
SRN2009T-R47M
Bourns Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel