Número da peça de fabricante | SD103B |
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Número da peça futura | FT-SD103B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SD103B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Atual - Média Retificada (Io) | 350mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 200mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 10ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 20V |
Capacitância @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamento - junção | 125°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD103B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SD103B-FT |
SBL845
Diodes Incorporated
SBL850
Diodes Incorporated
SBL860
Diodes Incorporated
MBRM3100-13
Diodes Incorporated
MBRM3100-13-F
Diodes Incorporated
MBRM360-13
Diodes Incorporated
MBRM360-13-F
Diodes Incorporated
MBRM5100-13
Diodes Incorporated
MBRM5100-13-F
Diodes Incorporated
MBRM560-13
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel