casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SCT30N120
Número da peça de fabricante | SCT30N120 |
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Número da peça futura | FT-SCT30N120 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SCT30N120 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA (Typ) |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 20V |
Vgs (máx.) | +25V, -10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 270W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | HiP247™ |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCT30N120 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SCT30N120-FT |
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