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Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB
- Número da peça MFG
- SCT2H12NYTB
- Quantidade disponível
- 71350 Peças
- Preço de referência
- USD 2.9452
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Rohm Semiconductor
- Descrição breve
- - 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- SCT2H12NYTB.pdf
SCT2H12NYTB Especificações
| Número da peça de fabricante | SCT2H12NYTB |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-SCT2H12NYTB |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| SCT2H12NYTB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1700V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 18V |
| Vgs (máx.) | +22V, -6V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 184pF @ 800V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 44W (Tc) |
| Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-268 |
| Pacote / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SCT2H12NYTB Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | SCT2H12NYTB-FT |
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