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STMicroelectronics SCT10N120

Name: SCT10N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCT10N120
Price: 9.904 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (489 reviews)

Número da peça MFG: SCT10N120

Quantidade disponível: 96560 Peças

Preço de referência: USD 9.904

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: - MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SCT10N120.pdf

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SCT10N120 Especificações

Número da peça de fabricante	SCT10N120
Número da peça futura	FT-SCT10N120
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
SCT10N120 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	690 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 20V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 400V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	150W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	HiP247™
Pacote / caso	TO-247-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT10N120 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SCT10N120-FT

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