casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / SCNAR10
Número da peça de fabricante | SCNAR10 |
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Número da peça futura | FT-SCNAR10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SCNAR10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | - |
Tipo de Diodo | - |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 22.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 9A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCNAR10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SCNAR10-FT |
LD410860
Powerex Inc.
LD411060
Powerex Inc.
LD411260
Powerex Inc.
LD411460
Powerex Inc.
LD411860
Powerex Inc.
LD412060
Powerex Inc.
LD412260
Powerex Inc.
LD412460
Powerex Inc.
ND410826
Powerex Inc.
ND411226
Powerex Inc.
A54SX32-TQG144
Microsemi Corporation
XC5204-6VQ100C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
EP4CE22F17I7N
Intel
XCV50-6BG256C
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3CSG324E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel