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Número da peça de fabricante | SCH114-8R6 |
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Número da peça futura | FT-SCH114-8R6 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SCH114 |
SCH114-8R6 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 8.6µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 3.4A |
Atual - saturação | 4.2A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 60 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.409" L x 0.409" W (10.40mm x 10.40mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.193" (4.90mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCH114-8R6 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SCH114-8R6-FT |
SCMD4D10-100
Signal Transformer
SCMD4D10-150
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SCMD4D08-100
Signal Transformer
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XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel