casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / SBT80-10J
Número da peça de fabricante | SBT80-10J |
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Número da peça futura | FT-SBT80-10J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SBT80-10J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220ML |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBT80-10J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SBT80-10J-FT |
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MSD6100RLRAG
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Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
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Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
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EP4CE22E22I8L
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5SGXMA5K2F35I2N
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Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel