casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SBR2M30P1-7
Número da peça de fabricante | SBR2M30P1-7 |
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Número da peça futura | FT-SBR2M30P1-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SBR® |
SBR2M30P1-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Super Barrier |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 460mV @ 2A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 30V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | POWERDI®123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerDI™ 123 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR2M30P1-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SBR2M30P1-7-FT |
DLLFSD01T-7
Diodes Incorporated
SDM03U40Q-7
Diodes Incorporated
ZLLS350TA
Diodes Incorporated
BAS521Q-13
Diodes Incorporated
ZHCS350TA
Diodes Incorporated
SDM20U40-7
Diodes Incorporated
SBR0230T5-7
Diodes Incorporated
SBR1A20T5-7
Diodes Incorporated
SBR0220T5-7
Diodes Incorporated
BAT54WT-7
Diodes Incorporated
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel