casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SB3100E-G
Número da peça de fabricante | SB3100E-G |
---|---|
Número da peça futura | FT-SB3100E-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SB3100E-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 250pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-201AD, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB3100E-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SB3100E-G-FT |
CURM102-G
Comchip Technology
CURM105-G
Comchip Technology
CURM106-G
Comchip Technology
CDBURT0230LL-HF
Comchip Technology
ACGRKM4007-HF
Comchip Technology
ACGRKM4004-HF
Comchip Technology
ACGRKM4005-HF
Comchip Technology
CDBB360-G
Comchip Technology
CGRB307-G
Comchip Technology
CURB207-G
Comchip Technology
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel