casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SB2100E-G
Número da peça de fabricante | SB2100E-G |
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Número da peça futura | FT-SB2100E-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SB2100E-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-15 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB2100E-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SB2100E-G-FT |
1N5393S-T
Diodes Incorporated
1N5395S-T
Diodes Incorporated
1N5397S-T
Diodes Incorporated
1N5398S-T
Diodes Incorporated
1N5399S-T
Diodes Incorporated
1N5818-B
Diodes Incorporated
FR106-T
Diodes Incorporated
FR107-T
Diodes Incorporated
HER101-T
Diodes Incorporated
HER102-T
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel