casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / S72XS256RE0AHBJ20
Número da peça de fabricante | S72XS256RE0AHBJ20 |
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Número da peça futura | FT-S72XS256RE0AHBJ20 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | XS-R |
S72XS256RE0AHBJ20 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH, DRAM |
Tamanho da memória | 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM |
Freqüência do relógio | 108MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 133-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 133-FBGA (8x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S72XS256RE0AHBJ20 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S72XS256RE0AHBJ20-FT |
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16P-5B AIT:M TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR
Micron Technology Inc.
S34MS04G204TFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGMFA000
Cypress Semiconductor Corp
SM668GE4-AC
Silicon Motion, Inc.
TC58CYG0S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CVG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
S29GL256N10FFI010
Cypress Semiconductor Corp
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel