casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / S72XS256RE0AHBH23
Número da peça de fabricante | S72XS256RE0AHBH23 |
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Número da peça futura | FT-S72XS256RE0AHBH23 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | XS-R |
S72XS256RE0AHBH23 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH, DRAM |
Tamanho da memória | 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM |
Freqüência do relógio | 108MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 133-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 133-FBGA (8x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S72XS256RE0AHBH23 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S72XS256RE0AHBH23-FT |
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16P-5B AIT:M TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR
Micron Technology Inc.
S34MS04G204TFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGMFA000
Cypress Semiconductor Corp
SM668GE4-AC
Silicon Motion, Inc.
TC58CYG0S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CVG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel