Número da peça de fabricante | S6JR |
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Número da peça futura | FT-S6JR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S6JR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 6A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-4 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6JR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S6JR-FT |
MURH7040R
GeneSiC Semiconductor
MURH7060
GeneSiC Semiconductor
NGTD13R120F2SWK
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NGTD9R120F2SWK
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NSR05T30P2T5G
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NSR0630P2T5G
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RURP15100-F085P
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S12BR
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S12DR
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S12G
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XC3042A-7PQ100C
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M2GL050-FCSG325
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M2GL010TS-1VFG256T2
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5SGXEA5K2F40C2N
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10AX027H3F34E2SG
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XCS10-4PC84C
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LFE2M50E-7FN900C
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LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
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EP2AGX95EF35C6ES
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