casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / S6006NS2RP
Número da peça de fabricante | S6006NS2RP |
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Número da peça futura | FT-S6006NS2RP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S6006NS2RP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Estado Desligado | 600V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 200µA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.6V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 6A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 6mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 5µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 110°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263 (D2Pak) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6006NS2RP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S6006NS2RP-FT |
VS-180RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80RIA40MPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80RIA40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FGG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE22F17C6
Intel
EP4SGX180KF40C3
Intel
A3P060-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C6N
Intel
EP20K1000CF33C7ES
Intel