casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / S4X8BS2RP
Número da peça de fabricante | S4X8BS2RP |
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Número da peça futura | FT-S4X8BS2RP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S4X8BS2RP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Estado Desligado | 400V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 50µA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.7V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 510mA |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 3µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 8A, 10A |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-89 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S4X8BS2RP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S4X8BS2RP-FT |
VS-ST303C08LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C08LFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12CCL1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12CFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12CFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12CFK1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12LFH0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12LFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12LFK0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12LFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
EP1AGX60CF484C6N
Intel
EP1K100FI256-2
Intel
5SGXMBBR3H43C3N
Intel
EP4SE360F35C3
Intel
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
A40MX02-3PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45I3SGE2
Intel
EP2SGX60CF780C3
Intel