casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / S4X8BS2RP
Número da peça de fabricante | S4X8BS2RP |
---|---|
Número da peça futura | FT-S4X8BS2RP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S4X8BS2RP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Estado Desligado | 400V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 50µA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.7V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 510mA |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 3µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 8A, 10A |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-243AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-89 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S4X8BS2RP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S4X8BS2RP-FT |
VS-ST303C08LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C08LFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12CCL1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12CFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12CFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12CFK1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12LFH0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12LFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12LFK0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12LFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV600-4FG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F35I4N
Intel
M1A3PE1500-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-7FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC5C6U19C7N
Intel
10M08DCU324I7G
Intel
EP20K600EBC652-1X
Intel
EP2AGZ350FF35I4
Intel