casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / S4KW6C-3N
Número da peça de fabricante | S4KW6C-3N |
---|---|
Número da peça futura | FT-S4KW6C-3N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S4KW6C-3N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | - |
Tipo de Diodo | - |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 6000V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 12A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 6V @ 12A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 4µA @ 6000V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S4KW6C-3N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S4KW6C-3N-FT |
VS-VSKJ91/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJS203/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJS209/150
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJS403/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel