casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / S4010NS2RP
Número da peça de fabricante | S4010NS2RP |
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Número da peça futura | FT-S4010NS2RP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S4010NS2RP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Estado Desligado | 400V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 200µA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.6V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 6.4A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 10A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 6mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 5µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 110°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263 (D2Pak) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S4010NS2RP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S4010NS2RP-FT |
VS-111RKI120MPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-111RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-111RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-111RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-111RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-180RKI100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-180RKI100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-180RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-180RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-180RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV600-4FG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F35I4N
Intel
M1A3PE1500-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-7FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC5C6U19C7N
Intel
10M08DCU324I7G
Intel
EP20K600EBC652-1X
Intel
EP2AGZ350FF35I4
Intel