casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / S3DBHM4G
Número da peça de fabricante | S3DBHM4G |
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Número da peça futura | FT-S3DBHM4G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
S3DBHM4G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 3A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 1.5µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AA, SMB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3DBHM4G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S3DBHM4G-FT |
HS5K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5M V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR140S M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR140S R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR140SHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR140SHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR160S M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR160SHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR160SHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR305S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel