casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / S34MS02G104BHB010
Número da peça de fabricante | S34MS02G104BHB010 |
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Número da peça futura | FT-S34MS02G104BHB010 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MS-1 |
S34MS02G104BHB010 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 2Gb (128M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 45ns |
Tempo de acesso | 45ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-BGA (11x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS02G104BHB010 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S34MS02G104BHB010-FT |
S34ML04G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHV003
Cypress Semiconductor Corp