casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / S34MS01G200BHB003
Número da peça de fabricante | S34MS01G200BHB003 |
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Número da peça futura | FT-S34MS01G200BHB003 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100, MS-2 |
S34MS01G200BHB003 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 1Gb (128M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 45ns |
Tempo de acesso | 45ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-BGA (11x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS01G200BHB003 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S34MS01G200BHB003-FT |
S34MS02G104BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS08G201BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G101BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G104BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G101BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHI500
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp