casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / S34ML04G200BHI003
Número da peça de fabricante | S34ML04G200BHI003 |
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Número da peça futura | FT-S34ML04G200BHI003 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ML-2 |
S34ML04G200BHI003 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 25ns |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-BGA (11x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34ML04G200BHI003 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S34ML04G200BHI003-FT |
S29GL512P10FFCR10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFCR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFIR10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFIR10W
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FAI012
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P12FFIV12
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T12DHVV23
Cypress Semiconductor Corp