casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / S29GL512S11WEIV19
Número da peça de fabricante | S29GL512S11WEIV19 |
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Número da peça futura | FT-S29GL512S11WEIV19 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | GL-S |
S29GL512S11WEIV19 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 512Mb (32M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 60ns |
Tempo de acesso | 110ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S11WEIV19 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S29GL512S11WEIV19-FT |
SM28VLT32SKGD3
Texas Instruments
NSEC53K008-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC53K016-IT
Insignis Technology Corporation
THGBMHT0C8LBAIG
Toshiba Memory America, Inc.
7005L35G
IDT, Integrated Device Technology Inc
AT28HC256F-90JU
Microchip Technology
70V3599S166DRG
IDT, Integrated Device Technology Inc
NSEC53K004-IT
Insignis Technology Corporation
TH58NVG5S0FTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
70T3599S200BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel