casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / S29GL512S11GHB020
Número da peça de fabricante | S29GL512S11GHB020 |
---|---|
Número da peça futura | FT-S29GL512S11GHB020 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | GL-S |
S29GL512S11GHB020 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 512Mb (32M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 60ns |
Tempo de acesso | 110ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 56-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 56-FBGA (9x7) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S11GHB020 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S29GL512S11GHB020-FT |
NSEC00K008-IT
Insignis Technology Corporation
AT88SC0204CA-TH
Microchip Technology
NSEC00K004-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC00K016-IT
Insignis Technology Corporation
SM28VLT32SKGD3
Texas Instruments
NSEC53K008-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC53K016-IT
Insignis Technology Corporation
THGBMHT0C8LBAIG
Toshiba Memory America, Inc.
7005L35G
IDT, Integrated Device Technology Inc
AT28HC256F-90JU
Microchip Technology
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel