casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / S29GL128S10WEI029
Número da peça de fabricante | S29GL128S10WEI029 |
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Número da peça futura | FT-S29GL128S10WEI029 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | GL-S |
S29GL128S10WEI029 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 128Mb (8M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 60ns |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Die |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Wafer |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL128S10WEI029 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S29GL128S10WEI029-FT |
TH58NVG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
R1WV6416RBG-5SI#B0
Renesas Electronics America
NSEC00K008-IT
Insignis Technology Corporation
AT88SC0204CA-TH
Microchip Technology
NSEC00K004-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC00K016-IT
Insignis Technology Corporation
SM28VLT32SKGD3
Texas Instruments
NSEC53K008-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC53K016-IT
Insignis Technology Corporation
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel