casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / S2008FS31
Número da peça de fabricante | S2008FS31 |
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Número da peça futura | FT-S2008FS31 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S2008FS31 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tensão - Estado Desligado | 200V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 500µA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.6V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 5.1A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 8A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 8mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 5µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 110°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-202 Long Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-202 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2008FS31 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S2008FS31-FT |
VS-ST730C14L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C20L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1K30TC144-1N
Intel
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
APA300-FG256I
Microsemi Corporation
AT6005-2AI
Microchip Technology
EP4CE10E22I7
Intel
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45I2SGE2
Intel
EP2AGX260FF35C5N
Intel