casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / S2008F1
Número da peça de fabricante | S2008F1 |
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Número da peça futura | FT-S2008F1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S2008F1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tensão - Estado Desligado | 200V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 15mA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.6V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 5.1A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 8A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 30mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 10µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
Tipo de SCR | Standard Recovery |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-202 Long Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-202 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2008F1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S2008F1-FT |
VS-ST730C12L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C12L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S250E-4FTG256C
Xilinx Inc.
XC2V250-4FGG456C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-6SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EF484C3NGZ
Intel
5SGXEB6R1F40I2N
Intel
5SGXEA7H3F35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
EP4SE230F29I3N
Intel
EPF10K130EBI356-2
Intel
EP20K1000CF33C9
Intel