casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / S2008F12
Número da peça de fabricante | S2008F12 |
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Número da peça futura | FT-S2008F12 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S2008F12 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tensão - Estado Desligado | 200V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 15mA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.6V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 5.1A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 8A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 30mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 10µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
Tipo de SCR | Standard Recovery |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-202 Long Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-202 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2008F12 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S2008F12-FT |
VS-ST730C12L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE3000-2FG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCVG484I
Microsemi Corporation
A3P125-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C50F484I8N
Intel
EP3CLS150F484C7N
Intel
EP2C5F256I8N
Intel
5SEE9F45C4N
Intel
M2GL050-FGG896
Microsemi Corporation
EP1S60F1508C6
Intel