casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / S2006LS259
Número da peça de fabricante | S2006LS259 |
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Número da peça futura | FT-S2006LS259 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S2006LS259 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tensão - Estado Desligado | 200V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 200µA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.6V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 6A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 6mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 5µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 110°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Isolated Tab, Formed Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220 Isolated Tab |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2006LS259 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S2006LS259-FT |
JAN2N2325S
Microsemi Corporation
JAN2N2325U4
Microsemi Corporation
JAN2N2326
Microsemi Corporation
JAN2N2326A
Microsemi Corporation
JAN2N2326AS
Microsemi Corporation
JAN2N2326AU4
Microsemi Corporation
JAN2N2326S
Microsemi Corporation
JAN2N2326U4
Microsemi Corporation
JAN2N2328
Microsemi Corporation
JAN2N2328A
Microsemi Corporation
XCV600-4FG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F35I4N
Intel
M1A3PE1500-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-7FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC5C6U19C7N
Intel
10M08DCU324I7G
Intel
EP20K600EBC652-1X
Intel
EP2AGZ350FF35I4
Intel