casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / S2006LS259
Número da peça de fabricante | S2006LS259 |
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Número da peça futura | FT-S2006LS259 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S2006LS259 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tensão - Estado Desligado | 200V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 200µA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.6V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 6A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 6mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 5µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 110°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Isolated Tab, Formed Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220 Isolated Tab |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2006LS259 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S2006LS259-FT |
JAN2N2325S
Microsemi Corporation
JAN2N2325U4
Microsemi Corporation
JAN2N2326
Microsemi Corporation
JAN2N2326A
Microsemi Corporation
JAN2N2326AS
Microsemi Corporation
JAN2N2326AU4
Microsemi Corporation
JAN2N2326S
Microsemi Corporation
JAN2N2326U4
Microsemi Corporation
JAN2N2328
Microsemi Corporation
JAN2N2328A
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
10CL016YF484C8G
Intel
EP3C25U256I7N
Intel
EP4S100G3F45I1
Intel
XC5VLX50-2FFG324C
Xilinx Inc.
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP4SGX290FF35C2X
Intel