casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / S2006FS211
Número da peça de fabricante | S2006FS211 |
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Número da peça futura | FT-S2006FS211 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S2006FS211 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tensão - Estado Desligado | 200V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 200µA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.6V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 6A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 6mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 5µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 110°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-202 Short Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-202 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2006FS211 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S2006FS211-FT |
JAN2N2325A
Microsemi Corporation
JAN2N2325AS
Microsemi Corporation
JAN2N2325AU4
Microsemi Corporation
JAN2N2325S
Microsemi Corporation
JAN2N2325U4
Microsemi Corporation
JAN2N2326
Microsemi Corporation
JAN2N2326A
Microsemi Corporation
JAN2N2326AS
Microsemi Corporation
JAN2N2326AU4
Microsemi Corporation
JAN2N2326S
Microsemi Corporation
A3P125-TQ144
Microsemi Corporation
A3PN010-2QNG48I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
5SGSMD5K3F40I4
Intel
10AX090U3F45I2SG
Intel
5AGXBB1D4F35C5N
Intel
EP3SE110F780C4LN
Intel
EP1C4F400C6
Intel
EP1K30QI208-2N
Intel