casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / S2006FS211
Número da peça de fabricante | S2006FS211 |
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Número da peça futura | FT-S2006FS211 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S2006FS211 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tensão - Estado Desligado | 200V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 200µA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.6V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 6A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 6mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 5µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 110°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-202 Short Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-202 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2006FS211 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S2006FS211-FT |
JAN2N2325A
Microsemi Corporation
JAN2N2325AS
Microsemi Corporation
JAN2N2325AU4
Microsemi Corporation
JAN2N2325S
Microsemi Corporation
JAN2N2325U4
Microsemi Corporation
JAN2N2326
Microsemi Corporation
JAN2N2326A
Microsemi Corporation
JAN2N2326AS
Microsemi Corporation
JAN2N2326AU4
Microsemi Corporation
JAN2N2326S
Microsemi Corporation
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
EP1AGX60CF484C6N
Intel
EP1K100FI256-2
Intel
5SGXMBBR3H43C3N
Intel
EP4SE360F35C3
Intel
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
A40MX02-3PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45I3SGE2
Intel
EP2SGX60CF780C3
Intel