casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / S1M-JR3
Número da peça de fabricante | S1M-JR3 |
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Número da peça futura | FT-S1M-JR3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S1M-JR3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 1.5µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1M-JR3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S1M-JR3-FT |
SK210AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK215A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK215AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK23A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK23AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK24A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK24AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel