Número da peça de fabricante | S16DR |
---|---|
Número da peça futura | FT-S16DR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S16DR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 16A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 16A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S16DR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S16DR-FT |
MBR6060R
GeneSiC Semiconductor
MBR6080
GeneSiC Semiconductor
MBR6080R
GeneSiC Semiconductor
MBR75100
GeneSiC Semiconductor
MBR75100R
GeneSiC Semiconductor
MBR7520
GeneSiC Semiconductor
MBR7520R
GeneSiC Semiconductor
MBR7530
GeneSiC Semiconductor
MBR7530R
GeneSiC Semiconductor
MBR7535
GeneSiC Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel