Número da peça de fabricante | S12M |
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Número da peça futura | FT-S12M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
S12M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 12A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-4 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S12M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S12M-FT |
MBR60100
GeneSiC Semiconductor
MBR60100R
GeneSiC Semiconductor
MBR6020
GeneSiC Semiconductor
MBR6020R
GeneSiC Semiconductor
MBR6030
GeneSiC Semiconductor
MBR6030R
GeneSiC Semiconductor
MBR6035
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MBR6035R
GeneSiC Semiconductor
MBR6040
GeneSiC Semiconductor
MBR6040R
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
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AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
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EP4SGX230KF40C3N
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5SGSMD4E3H29I3LN
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LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
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10AX032E2F29E1HG
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