casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / RWR80N26R1BSB12
Número da peça de fabricante | RWR80N26R1BSB12 |
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Número da peça futura | FT-RWR80N26R1BSB12 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-39007, RWR80N |
RWR80N26R1BSB12 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 26.1 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 2W |
Composição | Wirewound |
Características | Military, Moisture Resistant, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±20ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 250°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.094" Dia x 0.406" L (2.39mm x 10.31mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | S (0.001%) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RWR80N26R1BSB12 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RWR80N26R1BSB12-FT |
SQZ10AJB-47K
Yageo
SQZ10AJB-51R
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SQZ10AJB-56R
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SQZ15AJB-75R
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SQZ20AJB-12R
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SQZ20AJB-15R
Yageo
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Yageo
EP1K30TC144-3
Intel
XCVU065-2FFVC1517I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P1000-FG484T
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXEA9K2H40I3N
Intel
EP3SL150F1152C3
Intel
A40MX02-1PL44
Microsemi Corporation