casa / produtos / Resistores / Resistor Chip - Montagem em Superfície / RW2R0DAR010JET
Número da peça de fabricante | RW2R0DAR010JET |
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Número da peça futura | FT-RW2R0DAR010JET |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RW |
RW2R0DAR010JET Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 10 mOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 2W |
Composição | Wirewound |
Características | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Pacote / caso | 4524 J-Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMD J-Lead, Recessed |
Tamanho / dimensão | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.231" (5.87mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2R0DAR010JET Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RW2R0DAR010JET-FT |
RW3R0DBR005J
Ohmite
RW3R0DBR005JET
Ohmite
RW3R0DBR005JT
Ohmite
RW3R0DBR010JET
Ohmite
RW3R0DBR015JE
Ohmite
RW3R0DBR015JET
Ohmite
RW3R0DBR025J
Ohmite
RW3R0DBR025JT
Ohmite
RW3R0DBR036JE
Ohmite
RW3R0DBR036JET
Ohmite
XC7K160T-1FBG676I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C6N
Intel
A42MX16-3TQG176I
Microsemi Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel
EP2AGX95EF35C5ES
Intel
EP1C6Q240C7
Intel
EP20K1500EFC33-2X
Intel