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Rohm Semiconductor RW1E025RPT2CR

Name: RW1E025RPT2CR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RW1E025RPT2CR
Price: 0.06192 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (378 reviews)

Número da peça MFG: RW1E025RPT2CR

Quantidade disponível: 73010 Peças

Preço de referência: USD 0.06192

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Rohm Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: RW1E025RPT2CR.pdf

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RW1E025RPT2CR Especificações

Número da peça de fabricante	RW1E025RPT2CR
Número da peça futura	FT-RW1E025RPT2CR
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
RW1E025RPT2CR Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	6-WEMT
Pacote / caso	SOT-563, SOT-666
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RW1E025RPT2CR Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	RW1E025RPT2CR-FT

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