casa / produtos / Resistores / Resistor Chip - Montagem em Superfície / RW0S6BBR010FET
Número da peça de fabricante | RW0S6BBR010FET |
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Número da peça futura | FT-RW0S6BBR010FET |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RW |
RW0S6BBR010FET Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 10 mOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 0.6W |
Composição | Wirewound |
Características | Current Sense |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Pacote / caso | 2010 (5025 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 2010 |
Tamanho / dimensão | 0.202" L x 0.100" W (5.14mm x 2.54mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.140" (3.55mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW0S6BBR010FET Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RW0S6BBR010FET-FT |
HVC2512T5005JET
Ohmite
HVC2512T1006JET
Ohmite
HVC2512T1004JET
Ohmite
HVC2512T1005JET
Ohmite
HVC2512Z1007JET
Ohmite
HVC2512Z5006JET
Ohmite
HVC4020V1006JET
Ohmite
HVC4020V5007JET
Ohmite
HVC4020V2505JET
Ohmite
HVC4020V5005JET
Ohmite
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC2V3000-6FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-CQ208B
Microsemi Corporation
AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
AX250-1FG484
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE360H29C2
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
LFXP6E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation