casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / RR02JR75TB
Número da peça de fabricante | RR02JR75TB |
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Número da peça futura | FT-RR02JR75TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RR, Neohm |
RR02JR75TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 750 mOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 2W |
Composição | Metal Film |
Características | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±300ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 235°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.138" Dia x 0.354" L (3.50mm x 9.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR02JR75TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RR02JR75TB-FT |
ROX5SJ10R
TE Connectivity Passive Product
EP1W10RJ
TE Connectivity Passive Product
EP1WS10RJ
TE Connectivity Passive Product
EP3W10RJ
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RR02J10RTB
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RR01J10RTB
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LCMXO640E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XA7A75T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQG176
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C3N
Intel
A42MX09-2PQ160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50BC356-4
Intel
EP1C12F324C7
Intel
EPF10K50SQC240-3
Intel