casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / RR02JR51TB
Número da peça de fabricante | RR02JR51TB |
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Número da peça futura | FT-RR02JR51TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RR, Neohm |
RR02JR51TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 510 mOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 2W |
Composição | Metal Film |
Características | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±300ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 235°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.138" Dia x 0.354" L (3.50mm x 9.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR02JR51TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RR02JR51TB-FT |
ROX2SJ1R0
TE Connectivity Passive Product
ROX3SJ1R0
TE Connectivity Passive Product
ROX1SJ1R0
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ROX1SJ1K8
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RR01J1K8TB
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LCMXO2-1200HC-6TG144C
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XCS10XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1FG484C
Xilinx Inc.
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
EP3C25E144C8N
Intel
EP4CE6E22C8LN
Intel
EP3SL200F1152C4N
Intel
XC7A15T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation