casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RQ6C050UNTR
Número da peça de fabricante | RQ6C050UNTR |
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Número da peça futura | FT-RQ6C050UNTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RQ6C050UNTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.25W (Ta) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSMT6 (SC-95) |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ6C050UNTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RQ6C050UNTR-FT |
GKI03080
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