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Rohm Semiconductor RQ3E180GNTB

Número da peça MFG
RQ3E180GNTB
Quantidade disponível
96250 Peças
Preço de referência
USD 0.18212
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Rohm Semiconductor
Descrição breve
- MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
RQ3E180GNTB.pdf
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RQ3E180GNTB Especificações

Número da peça de fabricante RQ3E180GNTB
Número da peça futura FT-RQ3E180GNTB
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
RQ3E180GNTB Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 22.4nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1520pF @ 15V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 2W (Ta)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-HSMT (3.2x3)
Pacote / caso 8-PowerVDFN
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E180GNTB Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição RQ3E180GNTB-FT

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