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Rohm Semiconductor RQ3E120BNTB
- Número da peça MFG
- RQ3E120BNTB
- Quantidade disponível
- 35460 Peças
- Preço de referência
- USD 0.12028
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Rohm Semiconductor
- Descrição breve
- - MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- RQ3E120BNTB.pdf
RQ3E120BNTB Especificações
| Número da peça de fabricante | RQ3E120BNTB |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-RQ3E120BNTB |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| RQ3E120BNTB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-HSMT (3.2x3) |
| Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RQ3E120BNTB Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | RQ3E120BNTB-FT |
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