casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RQ3E100MNTB1
Número da peça de fabricante | RQ3E100MNTB1 |
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Número da peça futura | FT-RQ3E100MNTB1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RQ3E100MNTB1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 9.9nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-HSMT (3.2x3) |
Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3E100MNTB1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RQ3E100MNTB1-FT |
RCJ120N25TL
Rohm Semiconductor
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RSJ400N10FRATL
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XC7K355T-1FFG901I
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LCMXO2-4000HE-6MG184C
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10AX090N2F45I2SG
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