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Rohm Semiconductor RQ3E080BNTB

Name: RQ3E080BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080BNTB
Price: 0.08496 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (610 reviews)

Número da peça MFG: RQ3E080BNTB

Quantidade disponível: 47370 Peças

Preço de referência: USD 0.08496

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Rohm Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: RQ3E080BNTB.pdf

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RQ3E080BNTB Especificações

Número da peça de fabricante	RQ3E080BNTB
Número da peça futura	FT-RQ3E080BNTB
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
RQ3E080BNTB Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2W (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-HSMT (3.2x3)
Pacote / caso	8-PowerVDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E080BNTB Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	RQ3E080BNTB-FT

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