casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RQ3C150BCTB
Número da peça de fabricante | RQ3C150BCTB |
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Número da peça futura | FT-RQ3C150BCTB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RQ3C150BCTB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 20W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-HSMT (3.2x3) |
Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3C150BCTB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RQ3C150BCTB-FT |
RCJ100N25TL
Rohm Semiconductor
RCJ120N20TL
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