casa / produtos / Resistores / Resistor Chip - Montagem em Superfície / RP2012T-R18-G
Número da peça de fabricante | RP2012T-R18-G |
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Número da peça futura | FT-RP2012T-R18-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RP |
RP2012T-R18-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Resistência | 180 mOhms |
Tolerância | ±2% |
Potência (Watts) | 0.333W, 1/3W |
Composição | Metal Film |
Características | - |
Coeficiente de temperatura | 0/ +350ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.020" (0.50mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RP2012T-R18-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RP2012T-R18-G-FT |
RP1608S-R39-G
Susumu
RP1608S-R39-J
Susumu
RP1608S-R47-F
Susumu
RP1608S-R47-G
Susumu
RP1608S-R47-J
Susumu
RP1608S-R56-F
Susumu
RP1608S-R56-G
Susumu
RP1608S-R56-J
Susumu
RP1608S-R68-F
Susumu
RP1608S-R68-G
Susumu
XC3S400-5FGG320C
Xilinx Inc.
A3P125-VQ100I
Microsemi Corporation
A3P250-VQG100T
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-1
Intel
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
LFXP2-30E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-CB121
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30F780C7
Intel