casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RP1E090XNTCR
Número da peça de fabricante | RP1E090XNTCR |
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Número da peça futura | FT-RP1E090XNTCR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RP1E090XNTCR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MPT6 |
Pacote / caso | 6-SMD, Flat Leads |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RP1E090XNTCR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RP1E090XNTCR-FT |
SKI03063
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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