Número da peça de fabricante | RN 4Z |
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Número da peça futura | FT-RN 4Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN 4Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 3.5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 100ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN 4Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN 4Z-FT |
FMD-G26S
Sanken
FMY-1106S
Sanken
FML-G22S
Sanken
FML-G16S
Sanken
FML-G14S
Sanken
FMG-G26S
Sanken
FMX-1106S
Sanken
FML-G12S
Sanken
FMX-G12S
Sanken
FMX-G16S
Sanken
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel